《半導體製程技術導論(第三版)(0618702)》

本書譯自Hong Xiao(蕭宏) 原著「Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology」(第二版)，提供最新的半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用，是半導體製程實務最為鉅細靡遺的著作。本書適用於公私立大學、科大、技術學院，電子、電機、資工、機械系『半導體工程』、『半導體製程』、『半導體導論』課程使用。

• 第一章 導論 1
  1.1 積體電路發展歷史 3
  1.2 積體電路發展回顧 14
  1.3 本章總結 22
  習題 22
  參考文獻 22
  第二章 積體電路製程介紹 25
  2.1 積體電路製程簡介 26
  2.2 積體電路的良率 26
  2.3 無塵室技術 30
  2.4 積體電路製程區間基本結構 38
  2.5 積體電路測試與封裝 48
  2.6 積體電路未來發展趨勢 55
  2.7 本章總結 56
  習題 57
  參考文獻 58
  第三章 半導體基礎 59
  3.1 半導體基本概念 60
  3.2 半導體基本元件 64
  3.3 積體電路晶片 75
  3.4 積體電路基本製程 79
  3.5 互補式金屬氧化物電晶體 86
  3.6 2000後半導體製程發展趨勢 90
  3.7 本章總結 92
  習題 93
  參考文獻 93
  第四章 晶圓製造 95
  4.1 簡介 96
  4.2 為什麼使用矽材料 96
  4.3 晶體結構與缺陷 98
  4.4 晶圓生產技術 101
  4.5 磊晶矽生長技術 109
  4.6 基板工程 117
  4.7 本章總結 121
  習題 122石榴石的功效与作用
  參考文獻 122
  第五章 加熱製程 125
  5.1 簡介 126
  5.2 加熱製程的硬體設備 126
  5.3 氧化製程 130
  5.4 擴散製程 150
  5.5 退火過程 155
  5.6 高溫化學氣相沉積 159
  5.7 快速加熱製程(RTP)系統 167
  5.8 加熱製程發展趨勢 174
  5.9 本章總結 176
  習題 177
  參考文獻 178
  第六章 微影製程 179
  6.1 簡介 180
  6.2 光阻 181
  6.3 微影製程 184
  6.4 微影技術的發展趨勢 210
  6.5 安全性 228
  6.6 本章總結 229
  習題 231
  參考文獻 232
  第七章 電漿製程 235
  7.1 簡介 236
  7.2 電漿基本概念 236
  7.3 電漿中的碰撞 238
  7.4 電漿參數 242
  7.5 離子轟擊 247
  7.6 直流偏壓 249
  7.7 電漿製程優點 251
  7-8 電漿增強化學氣相沉積及電漿蝕刻反應器 255
  7.10 高密度電漿製程 260
  7.11 本章總結 262
  習題 263
  參考文獻 263
  第八章 離子佈植製程 265
  8.1 簡介 266
  8.2 離子佈植技術簡介 273
  8.3 離子佈植技術硬體設備 281
  8.4 離子佈植製程過程 290
  8.5 安全性 304
  8.6 離子佈植技術發展趨勢 306
  8.7 本章總結 308
  習題 309
  參考文獻 310
  第九章 蝕刻製程 311
  9.1 蝕刻製程簡介 312
  9.2 蝕刻製程基礎 314
  9.3 濕式蝕刻製程 320
  9.4 電漿(乾式)蝕刻製程 325
  9.5 電漿蝕刻製程 338
  9.6 蝕刻製程發展趨勢 357
  9.7 蝕刻製程未來發展趨勢 359
  9.8 本章總結 361
  習題 362
  參考文獻 362
  第十章 化學氣相沉積與介電質薄膜 365
  10.1 簡介 366
  10.2 化學氣相沉積 368
  10.3 介電質薄膜的應用 385
  10.4 介電質薄膜特性 393
  10.5 介電質CVD製程 406
  10.6 塗佈旋塗矽玻璃 420
  10.7 高密度電漿CVD (HDP-CVD) 421
  10.8 介電質CVD反應室清潔 424
  10.9 製程發展趨勢與故障排除 428
  10.10 化學氣相沉積製程發展趨勢 434
  10.11 本章總結 441
  習題 443
  參考文獻 444
  第十一章 金屬化製程 447
  11.1 簡介 448
  11.2 導電薄膜 450
  11.3 金屬薄膜特性 464
  11.4 金屬化學氣相沉積 472
  11.5 物理氣相沉積 481
  11.6 銅金屬化製程 493
  11.7 安全性 499
  11.8 本章總結 499
  習題 501
  參考文獻 502
  第十二章 化學機械研磨製程 503
  12.1 簡介 504
  12.2 CMP硬體設備 514
  12.3 CMP研磨漿 517
  12.4 CMP基本理論 523
  12.5 CMP製程過程 529
  12.6 CMP製程發展趨勢 538
  12.7 本章總結 539
  習題 540
  參考文獻 542
  第十三章 半導體製程整合 545
  13.1 簡介 546
  13.2 晶圓準備 546
  13.3 隔離技術 548
  13.4 井區形成 554
  13.5 電晶體製造 557
  13.6 金屬高k閘極MOS 561
  13.7 互連技術 565
  13.8 鈍化 574
  13.9 總結 575
  習題 575
  參考文獻 576
  第十四章 IC製程技術 577
  14.1 簡介 578
  14.2 上世紀80年代CMOS製程流程 578
  14.3 上世紀90年代CMOS製程流程 582
  14.4 2000年代CMOS製程流程 596
  14.5 2010年代CMOS製程流程 615
  14.6 記憶體晶片製造製程 627
  14.7 本章總結 644
  習題 645
  參考文獻 646
  第十五章 半導體製程發展趨勢和總結 649
  參考文獻 656